英伟达黄仁勋:2029年内存全面供给过剩可能性不大

10月23日,据外媒CNBC报道,英伟达首席执行官黄仁勋日前接受媒体采访时,针对近期存储芯片板块股价集体抛售、市场热议的“2029年内存储产能过剩”风险作出回应,他认为到2029年内存芯片出现全面供给过剩的概率并不高。

外媒报道称,近期存储芯片板块承压下行,市场不少投资者担忧,随着各大厂商扩产,大量新增产能将在2029年集中释放,AI带来的存储超级周期就此终结,行业会陷入供大于求的红海竞争。

黄仁勋提出,AI业务对内存的消耗几乎没有天花板,“内存的一大好处就是永远不嫌多”,高带宽内存HBM未来数年仍将维持强劲需求。英伟达已经率先将手机使用的LPDDR内存引入数据中心,实现能效翻倍,未来还将继续大规模采购该类存储产品。

不过,行业分析师对此并未达成统一意见,部分机构认为AI专用HBM与消费级DRAM供需逻辑并不相同,普通存储芯片依旧存在过剩风险。

来源︱环球网
编辑︱伍偲