10月16日消息，为了压制长鑫、长江存储等中国本土存储厂商的发展，海外存储巨头一直在持续出台各类针对性限制举措，韩国存储芯片巨头SK海力士近期也正在推进一系列特殊布局动作。

在美国持续推动全球头部芯片企业赴美投资建厂的大背景下，SK海力士被曝出正在主动和华盛顿方面协商，希望达成一项双边特殊安排。

有知情行业人士透露，SK海力士的核心诉求是希望获得美国官方的专项许可，允许其向位于中国境内的自有工厂出口更多美国制造的半导体设备，用来扩大本地产能规模，并且已经把拿到这份许可，作为自己推进美国本土新工厂建设的重要前置条件。

多位消息人士进一步确认，SK海力士旗下的美国子公司Solidigm目前正在正式递交新的出口许可申请，希望能将更多符合要求的美国半导体设备，运往其位于中国大连的NAND闪存生产基地。

这座大连工厂当前的核心产出，是面向数据中心场景的固态硬盘用NAND闪存产品，这类存储芯片现在被广泛应用在人工智能算力集群和云计算基础设施等核心领域。

目前大连厂区已经在使用的生产设备，全部来自美国头部半导体设备供应商，名单包括泛林集团、应用材料和科磊等行业头部企业。

早前SK海力士已经正式宣布重启位于中国大连的NAND闪存生产基地2号工厂建设项目，整条产线完全投产后，大连厂区的整体存储芯片产能规模将直接扩大约50%。

这座大连2号工厂早在4年前就已经正式动工开建，后续因为全球存储器行业进入下行低迷周期，整个建设工程长期处于停滞搁置状态，一直没有实质性推进动作。

根据SK海力士最新公开的项目规划，将在今年年底前完成首批半导体生产设备的入厂安装调试，于明年上半年实现正式量产投产。

新建成的这条生产线月均晶圆投片量约为5万片，叠加大连1号工厂现有的每月10万片产能之后，SK海力士在大连厂区的总生产规模将直接提升约50%。

SK海力士这次一边要求扩大中国厂区的设备准入权限、保住成熟产能的成本优势，一边用中国区产能作为筹码和美国谈判换取赴美建厂的政策优待，本质上是在两头押注，既不想错过中国AI和云计算市场爆发带来的存储需求红利，也想尽可能延缓本土存储厂商的追赶速度，维持自己在全球存储市场的份额优势。