9月23日消息，佰维存储公告称，公司及控股子公司广东芯成汉奇拟与东莞松山湖高新区管委会签订合作协议，投资建设晶圆级先进封测制造项目三期，总投资约45亿元，其中固定资产投资40亿元。

项目不涉及新增用地，建设内容在原项目工业用地内完成。公司表示，本次投资系在原项目基础上的增资扩产，资金来源为自有及自筹资金，不涉及募集资金。

该交易已于9月21日通过董事会审议，无需提交公司股东会审议。佰维存储表示，将尽快推进项目合作协议签署工作，推动项目落地。

佰维存储晶圆级先进封测制造项目一期、二期计划投资30.9亿元已完成，设备陆续交付中，对应2.5D月产能约3000片。

截至目前，一期项目已完成厂房建设及设备安装调试，二期项目设备陆续进场安装调试，目前处于客户送样、工艺验证及小批量试产阶段，尚未正式产生量产收益。

据佰维存储今年一季度接受机构调研时称，其晶圆级先进封测制造项目预计2026年底月产能将达到5000片，2027年底月产能将达到1万片，并预计将于2026年年底开始贡献收入。

广东芯成汉奇作为晶圆级先进封测制造项目实施主体，已构建覆盖2.5D、RDL、Fan-in、Fan-out等多种先进封装技术。

目前佰维存储先进封装技术主要规划两大类产品线，分别是应用于先进存储芯片的FOMS系列，以及先进存算合封CMC系列。佰维存储表示，目前其先进封装良率已达95%以上，预计先进封装业务综合毛利率约为30%-40%。

除先进封装技术布局外，主控芯片方面，佰维存储自研国产eMMC主控芯片今年已在多领域实现规模化量产交付；UFS主控芯片已完成回片验证，预计2026年下半年导入终端应用。

同时，佰维存储正布局小容量NAND Flash介质设计领域，已与国内头部代工厂达成战略合作，在24nm/19nm等节点开展中小容量SLC/MLC NAND产品开发。目前其SLC NAND产品已陆续进入回片验证阶段，产品指标符合预期，计划于2026年下半年开始导入终端客户；MLC NAND Flash研发工作正常开展中。

在企业级（服务器）领域，佰维存储面向数据中心、云计算、AI服务器等高吞吐、高可靠场景，持续加大企业级存储研发投入与市场拓展力度，加深与联想等一线OEM厂商合作，促进长期合作框架达成，并同步推进与互联网云厂商的业务合作落地。同时，佰维存储实现了涵盖PCIe SSD、SATA SSD等产品的批量供货。